Praktikum: Entwicklung eines Gate-Treibers für einen GaN-basierten Inverter

Im Rahmen eines Praktikums sind folgende Aufgaben zu lösen

• Erstellen von Blockdiagrammen mit den erforderlichen Funktionen
• Erstellen einer Spezifikation
• Entwurf von Low-Side-/ High-Side Treiber, Simulationen
• Top-Level-Entwurf und Verifizierung anhand der Spezifikation
• Dokumentation und Präsentation

Du erfüllst folgende Anforderungen

• Abgeschlossenes Grundstudium der Elektrotechnik oder vergleichbar
• Kenntnisse in der Entwicklung integrierter Schaltungen
• Kenntnisse in einer Entwicklungsumgebung für analoge Schaltungen

Dann erwartet dich bei uns

• Angemessene Vergütung
• Interessante und anspruchsvolle Aufgaben in einem international geprägten Umfeld
• Kompetente Kollegen, die mit Rat und Tat zur Seite stehen
• Flexible Arbeitszeiten, Möglichkeit von Mobile-Office, Firmenevents und soziale Angebote

Neugierig geworden?
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Dein Ansprechpartner
DMOS GmbH Bergstraße 4
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Tel.: 0351 / 479 42 – 0
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